电子特气之元素化学-砷化合物——（AsCl3） 三氯化砷
发布时间：
2025-07-08
一.基本性质
物理性质：三氯化砷是一种无色或淡黄色发烟油状液体，有刺激性气味，有剧毒。其熔点为 - 18℃，沸点为 130.2℃，相对密度（水 = 1）为 2.163，相对蒸气密度（空气 = 1）为 6.25，饱和蒸气压 1.33kPa（23.5℃），辛醇 / 水分配系数为 1.61，可溶于乙醇、乙醚、浓盐酸及多数有机溶剂.
化学性质：遇水和紫外线分解，散发出白色烟雾状的刺激性和腐蚀性的氯化氢气体，在空气中发烟，与金属钠、钾、铝混合，撞击后能猛烈爆炸，具有较强的腐蚀性.
二.生产方法
盐酸法：将三氧化二砷加入带搅拌的反应器中，再加入浓盐酸，在搅拌下缓慢滴加浓硫酸，浓硫酸的滴加可使反应所产生的水被除去，生成的三氯化砷由于发生两相分离，而沉于反应器底部。浓硫酸滴完后，加热反应器进行蒸馏，收集 90~107℃的馏分，将馏出液冷却，用分液漏斗将三氯化砷分离，制得三氯化砷成品.
氯气法：将砷装入 pyrax 玻璃管中，通入干燥氯气，在常温下能徐徐反应，开始时加热到 150~200℃，砷在氯气中进行放热反应，生成三氯化砷，接受器可用蒸馏烧瓶，在所产生的三氯化砷中有可能溶入氯，所以可加入少量砷粉末进行蒸馏，合成收率在 90% 以上.
三.高纯气应用
工业领域：用于陶瓷工业，作为瓷器的上光剂；在半导体生产中的外延、扩散工序中，高纯品三氯化砷有着重要应用；还可用于合成含砷的氯衍生物以及制造杀虫剂等.
医药领域：曾被用作医药试剂，但由于其毒性，现在的应用已受到严格限制.
半导体制造领域：
外延生长：在砷化镓等半导体材料的外延生长过程中，三氯化砷可作为砷源，与其他气体反应在衬底上生长出高质量的晶体薄膜。
掺杂：通过控制三氯化砷的浓度和掺杂条件，可以精确地控制半导体材料中的载流子浓度和导电类型，从而调节半导体的电学性能。
刻蚀：在半导体制造的刻蚀工艺中，三氯化砷可作为刻蚀气体，用于选择性地去除不需要的材料，从而形成所需的电路图案。
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